川仪压力变送器错误报警

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（2）工作原理。吸附在基体材料上，金属电阻应变片的应变电阻随机械形变而产生阻值变化的现象，俗称为电阻应变效应。通常情况下，是将应变片采用特殊的粘和剂紧密的粘合在产生力学应变基体上，随着基体受力发生应力变化后，电阻应变片也一起产生形变，使应变片的阻值发生改变，从而使加在电阻上的电压发生变化。这种应变片在受力时产生的阻值变化较小，一般这种应变片都组成应变电桥，并通过后续的仪表放大器进行放大，再传输给处理电路（通常是A/D转换和CPU）显示或执行机构。在运用时，电阻的取值范围要格外注意，阻值太小，所需的驱动电流太大，同时不断发热会致使应变片的温度过高，导致应变片的阻值变化太大，输出零点漂移明显，调零电路过于复杂。而电阻太大，阻抗太高，抗外界的电磁干扰能力就会降低。
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硅压阻式扩散硅压力传感器是采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥作为力电变换测量电路的，具有较高的测量精度、较低的功耗和极低的成本。惠斯顿电桥的压阻式传感器，如无压力变化，其输出为零，几乎不耗电。
扩散硅压力变送器_产品实拍图_西源科技系列硅压阻式扩散硅压力传感器采用周边固定的圆形应力杯硅薄膜内壁，采用西源科技自主研发技术直接将四个高精密半导体应变片刻制在其表面应力大处，组成惠斯顿测量电桥，作为力电变换测量电路，将压力这个物理量直接变换成电量，其测量精度能达0.25-0.5%FS。硅压阻式扩散硅压力传感器上下二层是玻璃体，中间是硅片，硅片中部做成一应力杯，其应力硅薄膜上部有一真空腔，使之成为一个典型的绝压扩散硅压力传感器。应力硅薄膜与真空腔接触这一面经光刻生成电阻应变片电桥电路。当外面的压力经引压腔进入传感器应力杯中，应力硅薄膜会因受外力作用而微微向上鼓起，发生弹性变形，四个电阻应变片因此而发生电阻变化，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，电桥输出与压力成正比的电压信号。
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常规压力变送器的校准：
先将阻尼调至零状态，先调零点，然后加满度压力调满量程，使输出为20mA,在现场调校讲的是快，在此介绍零点、量程的快速调校法。调零点时对满度几乎没有影响。
注意事项：调满度时对零点有影响，在不带迁移时其影响约为量程调整量的1/5，即量程向上调整1mA，零点将向上移动约0.2mA,反之亦然。
智能压力变送器的校准：
用上述的常规方法，进行智能压力变送器校准是不行的，因为这是由HART变送器结构原理所决定了。因为智能变送器在输入压力源和产生的4-20mA电流信号之间，除机械、电路外，还有微处理芯片对输入数据的运算工作。因此调校与常规方法有所区别。
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温度范围：环境温度：-40～85℃（选用LCD指示表时为-20～70℃）e9o压力变送器_差压变送器_液位变送器_温度变送器
测量介质温度：-40～104℃e9o压力变送器_差压变送器_液位变送器_温度变送器
静压和单向超压范围：3.45Kpa（绝压）～31.2MPa(表压)e9o压力变送器_差压变送器_液位变送器_温度变送器
相对湿度：5～98%RHe9o压力变送器_差压变送器_液位变送器_温度变送器
启动时间：5秒内启动e9o压力变送器_差压变送器_液位变送器_温度变送器
容量变化量：小于0.16cm3e9o压力变送器_差压变送器_液位变送器_温度变送器
阻尼调整：时间常熟0.20～25秒e9o压力变送器_差压变送器_液位变送器_温度变送器
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Pg13.5内螺纹,二个电气接口，盲塞一个
M20内螺纹,二个电气接口，盲塞一个
第8项：内藏显示表
数字显示表
数字显示表带测量范围设置钮
无
第9项：安装托架
JISSECC2-inch管
JISSUS3042-inch管
无
第1项：隔爆型、本安型
不指定
FF1
FM隔爆许可C1：ⅠⅡ＆ⅢDiv1＆2，Gps.B、C、D、E、F＆GNEMA4X温度：C1：T6
KF1
CENELEC（KEMA）防爆许可：EExdⅡCT4、T5、T6
CF1
CSA隔爆许可：C1:ⅠⅡ&ⅢDiv、1&2、Gps、B、C、D、E、F、&GENCL:Type4X温度：CI:T4、T5、T6
(川仪压力变送器错误报警)

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